Світовий технологічний ринок зіштовхнувся із серйозним дисбалансом попиту та пропозиції, що може впливати на споживчу електроніку протягом багатьох років. Незважаючи на зусилля лідерів індустрії з розширення потужностей, зростаючий розрив між доступністю чіпів пам’яті і попитом, що стрімко злітає, на них створює умови для затяжного дефіциту оперативної пам’яті (RAM).
Дефіцит пропозиції, що зростає
Хоча провідні світові виробники пам’яті – Samsung, SK Hynix та Micron – активно працюють над збільшенням виробничих потужностей, терміни стабілізації ситуації виявляться набагато віддаленішими, ніж сподіваються багато споживачів.
Згідно з звітами Nikkei Asia, навіть при нарощуванні обсягів, прогнозується, що постачальники зможуть задовольнити лише близько 60 відсотків світового попиту до кінця 2027 року. Ситуація виглядає ще критичнішою, судячи з заяв керівництва SK Group: голова компанії припустив, що дефіцит може зберігатися аж до 2030 року.
Основним “вузьким місцем” є час, необхідний для будівництва та введення в експлуатацію нових заводів з виробництва мікросхем (fabs). Очікується, що більшість нових потужностей запрацює не раніше 2027 чи 2028 року. Хоча у лютому цього року SK Group відкрила новий об’єкт у Чхонджу, це єдине значне розширення виробництва серед великої трійки, заплановане на 2026 рік.
Математика дефіциту
Для стабілізації ринку виробництво має зростати певними темпами, випереджаючи попит. Однак поточні галузеві прогнози вказують на нестачу темпів зростання:
- Необхідне зростання: Щоб задовольнити попит, виробництво має збільшуватися приблизно на 12% щорічно протягом 2026 та 2027 років.
- Прогнозоване зростання: За даними Counterpoint Research, заплановане збільшення обсягів на даний момент становить лише 7,5%.
Ця розбіжність підкреслює фундаментальну проблему: індустрія масштабується недостатньо швидко, щоб встигати за стрімкою еволюцією обчислювальних потреб.
Фактор ІІ: HBM проти споживчої DRAM
Критична причина цього дисбалансу полягає в тому, що саме виробляється. В даний час індустрія переживає масштабний структурний зсув у бік пам’яті з високою пропускною здатністю (HBM).
HBM — це спеціалізований високопродуктивний тип пам’яті, необхідний роботи центрів обробки даних ИИ. Оскільки HBM забезпечує набагато більш високу маржу прибутку та життєво важлива для поточного буму штучного інтелекту, виробники віддають пріоритет його випуску на шкоду «загального призначення» DRAM.
Таке розташування пріоритетів створює ефект «просочування»…
