Квантовий стрибок: reram-пам’ять weebit nano випущена в рамках 28-нм техпроцесу

14

Ізраїльська компанія weebit nano, розробник резистивної пам’яті (reram), повідомила, що досягнуто значного прогресу в рамках руху до масового виробництва нової і перспективної технології зберігання даних. На дослідних потужностях французького інституту cea-leti масиви reram вперше випущені на 300-мм пластинах з використанням 28-нм техпроцесу.

Джерело зображення: weebit nano

Попередніми продуктами партнерства weebit і cea-leti були масиви reram на 200-мм пластинах з використанням 40-нм техпроцесу. Освоєння більш тонких техпроцесів на великих по діаметру пластинах-це значний крок вперед, що дозволило компанії заявити про це, як про квантовому стрибку.

На жаль, weebit не розкрила характеристик масивів. Заявлено, що це 1-мбіт блоки резистивної пам’яті. У загальному випадку освоєння виробництва reram з технологічними нормами 28 нм в чотири рази підвищує щільність цього варіанту пам’яті (очевидно, стосовно технологій weebit, оскільки reram розробляється в безлічі варіантів, включаючи горезвісний мемристор компанії hp).

Додамо, дослідне виробництво reram компанії weebit nano в рамках 28-нм техпроцесу мало стартувати в кінці 2019 року. Але тоді цього не сталося, як і не почалося обіцяне виробництво reram в південній кореї в кінці 2020 року «однією великою компанією». Замість цього місяць тому weebit уклала договір на запуск виробництва reram в рамках 130-нм техпроцесу на заводі американської компанії skywater.

Джерело зображення: weebit nano

Створюється враження, що технологія weebit погано лягає на передові техпроцеси. Сподіваємося, просування вперед спільно з французькими дослідниками наблизить технологію виробництва резистивної пам’яті до комерційної реалізації. Пам’ять reram за швидкістю роботи наближається до оперативної пам’яті, але володіє при цьому енергонезалежністю як у флеш-пам’яті. Для розвитку майбутнього електроніки це найважливіший фактор.